Антава

IXYS

Транзистор IXTY1R6N100D2-TRL

IXTY1R6N100D2-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1kV
Drain current
1.6A
Pulsed drain current
1.6A
Power dissipation
100W
Корпус
DPAK
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY1R6N100D2-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1kV
Drain current1.6A
Pulsed drain current1.6A
Power dissipation100W
КорпусDPAK
Gate-source voltage20V
On-state resistance10Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge27nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time970ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 1.6A; Idm: 1.6A; 100W; DPAK; 970ns

Документация

Документы пока не предоставлены.