Антава

IXYS

Транзистор IXTY1N80P

IXTY1N80P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800V
Drain current
1A
Power dissipation
42W
Корпус
TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY1N80P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800V
Drain current1A
Power dissipation42W
КорпусTO252
On-state resistance14Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time700ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 42W; TO252; 700ns

Документация

Документ производителя