Антава

IXYS

Транзистор IXTY1N100P-TRL

IXTY1N100P-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
1 A
Power dissipation
50 W
Корпус
DPAK, TO252AA
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTY1N100P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1 kV
Drain current1 A
Power dissipation50 W
КорпусDPAK, TO252AA
Gate-source voltage20 V
On-state resistance15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.5nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time750ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 1A; 50W; DPAK,TO252AA; 750ns

Документация

Документы пока не предоставлены.