Антава

IXYS

Транзистор IXTY18P10T-TRL

IXTY18P10T-TRL
Type of transistor
P-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
18 A
Power dissipation
83 W
Корпус
DPAK, TO252AA
Gate-source voltage
15 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTY18P10T-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current18 A
Power dissipation83 W
КорпусDPAK, TO252AA
Gate-source voltage15 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; 100V; 18A; 83W; DPAK,TO252AA

Документация

Документы пока не предоставлены.