Антава

IXYS

Транзистор IXTY18P10T

IXTY18P10T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-18 A
Рассеиваемая мощность
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 32 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%946,81 ₽

Сумма · с НДС 22%946,81 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1946,81 ₽
от 10509,27 ₽
от 25487,75 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTY18P10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-18 A
Рассеиваемая мощность83 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time62ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252

Документация

Документ производителя