Антава

IXYS

Транзистор IXTY10P15T

IXTY10P15T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-150V
Drain current
-10A
Power dissipation
83W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY10P15T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-150V
Drain current-10A
Power dissipation83W
КорпусTO252
Gate-source voltage±15V
On-state resistance0.35Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO252

Документация

Документ производителя