Антава

IXYS

Транзистор IXTY08N50D2

IXTY08N50D2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
0.8A
Power dissipation
60W
Корпус
TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY08N50D2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current0.8A
Power dissipation60W
КорпусTO252
On-state resistance4.6Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge312nC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time11ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.8A; 60W; TO252; 11ns

Документация

Документ производителя