Антава

IXYS

Транзистор IXTY08N100P

IXTY08N100P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
0.8A
Power dissipation
42W
Корпус
TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY08N100P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current0.8A
Power dissipation42W
КорпусTO252
On-state resistance20Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time750ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO252; 750ns

Документация

Документ производителя