Антава

IXYS

Транзистор IXTY02N120P

IXTY02N120P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
0.2 A
Power dissipation
33 W
Корпус
TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTY02N120P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current0.2 A
Power dissipation33 W
КорпусTO252
On-state resistance75 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.6µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO252; 1.6us

Документация

Документ производителя