Антава

IXYS

Транзистор IXTY01N100D-TRL

IXTY01N100D-TRL
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
N
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
0.4 A
Power dissipation
25 W
Корпус
DPAK, TO252AA
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTY01N100D-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
PolarisationN
Drain-source voltage1 kV
Drain current0.4 A
Power dissipation25 W
КорпусDPAK, TO252AA
Gate-source voltage20 V
On-state resistance80 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.8nC
Reverse recovery time1.5µs
Versionmodule
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 400mA; 25W; DPAK,TO252AA; 1.5us

Документация

Документы пока не предоставлены.