Антава

IXYS

Транзистор IXTY01N100D

IXTY01N100D
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
0.1 A
Power dissipation
25 W
Корпус
TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY01N100D
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current0.1 A
Power dissipation25 W
КорпусTO252
On-state resistance80 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.1µC
Kind of packagetube
Kind of channeldepletion
Reverse recovery time2ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252; 2ns

Документация

Документ производителя