Антава

IXYS

Транзистор IXTY01N100

IXTY01N100
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
0.1A
Power dissipation
25W
Корпус
TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTY01N100
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current0.1A
Power dissipation25W
КорпусTO252
On-state resistance80Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252

Документация

Документ производителя