Антава

IXYS

Транзистор IXTX90P20P

IXTX90P20P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-90 A
Power dissipation
890 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTX90P20P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200 V
Drain current-90 A
Power dissipation890 W
КорпусPLUS247™
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance44 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge205nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time315ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -90A; 890W; 315ns

Документация

Документ производителя