Антава

IXYS

Транзистор IXTX90N25L2

IXTX90N25L2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
90 A
Power dissipation
960 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTX90N25L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current90 A
Power dissipation960 W
КорпусPLUS247™
On-state resistance36 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge640nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time266ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; PLUS247™; 266ns

Документация

Документ производителя