Антава

IXYS

Транзистор IXTX5N250

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
2.5kV
Drain current
5A
Power dissipation
960W
Корпус
TO247-3
Gate-source voltage
30V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTX5N250
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage2.5kV
Drain current5A
Power dissipation960W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage30V
On-state resistance8.8Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge200nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time1.2µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 2.5kV; 5A; 960W; TO247-3; 1.2us

Документация

Документы пока не предоставлены.