Антава

IXYS

Транзистор IXTX550N055T2

IXTX550N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
550 A
Power dissipation
1.25 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTX550N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current550 A
Power dissipation1.25 kW
КорпусPLUS247™
On-state resistance1.6 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge595nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time100ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 550A; 1250W; PLUS247™; 100ns

Документация

Документ производителя