Антава

IXYS

Транзистор IXTX4N300P3HV

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar3™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
3 kV
Drain current
4 A
Power dissipation
960 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTX4N300P3HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar3™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage3 kV
Drain current4 A
Power dissipation960 W
КорпусTO247PLUS-HV
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge139nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time420ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 3kV; 4A; 960W; 420ns

Документация

Документ производителя