Антава

IXYS

Транзистор IXTX32P60P

IXTX32P60P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-600 V
Drain current
-32 A
Power dissipation
890 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTX32P60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-600 V
Drain current-32 A
Power dissipation890 W
КорпусPLUS247™
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.35 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge196nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time480ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; 480ns

Документация

Документ производителя