Антава

IXYS

Транзистор IXTX22N100L

IXTX22N100L
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
22A
Power dissipation
700W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTX22N100L
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current22A
Power dissipation700W
КорпусPLUS247™
On-state resistance0.6Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.27µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time1µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 22A; 700W; PLUS247™; 1us

Документация

Документ производителя