Антава

IXYS

Транзистор IXTX20N150

IXTX20N150
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.5kV
Drain current
20A
Power dissipation
1.25kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTX20N150
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.5kV
Drain current20A
Power dissipation1.25kW
КорпусPLUS247™
On-state resistance1Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge215nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.1µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; PLUS247™; 1.1us

Документация

Документ производителя