Антава

IXYS

Транзистор IXTX120P20T

IXTX120P20T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-120 A
Рассеиваемая мощность
1.04 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 28 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%4 943,51 ₽

Сумма · с НДС 22%4 943,51 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 14 943,51 ₽
от 34 367,76 ₽
от 103 912,93 ₽
от 303 651,23 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTX120P20T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200 V
Drain current-120 A
Рассеиваемая мощность1.04 kW
КорпусPLUS247™
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance30 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge740nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time300ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W

Документация

Документ производителя