Антава

IXYS

Транзистор IXTX110N20L2

IXTX110N20L2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Linear L2™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
110A
Power dissipation
960W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTX110N20L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyLinear L2™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current110A
Power dissipation960W
КорпусPLUS247™
Gate-source voltage±20V
On-state resistance24mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge500nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time420ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 200V; 110A; 960W; 420ns

Документация

Документ производителя