Антава

IXYS

Транзистор IXTU4N70X2

IXTU4N70X2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
700V
Drain current
4A
Pulsed drain current
8A
Power dissipation
80W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTU4N70X2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage700V
Drain current4A
Pulsed drain current8A
Power dissipation80W
КорпусIPAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.85Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge11.8nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.