Антава

IXYS

Транзистор IXTT96N20P-TRL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
200 V
Drain current
96 A
Power dissipation
600 W
Корпус
D3PAK, TO268
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTT96N20P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage200 V
Drain current96 A
Power dissipation600 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage20 V
On-state resistance24 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge145nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time160ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 200V; 96A; 600W; D3PAK,TO268; 160ns

Документация

Документы пока не предоставлены.