Антава

IXYS

Транзистор IXTT96N15P

IXTT96N15P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
96 A
Power dissipation
480 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT96N15P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current96 A
Power dissipation480 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance24 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time150ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 96A; 480W; TO268

Документация

Документ производителя