Антава

IXYS

Транзистор IXTT90P10P

IXTT90P10P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-90 A
Power dissipation
462 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT90P10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-90 A
Power dissipation462 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance25 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time144ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO268

Документация

Документ производителя