Антава

IXYS

Транзистор IXTT8P50

IXTT8P50
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-500 V
Drain current
-8 A
Power dissipation
180 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 27 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 802,30 ₽

Сумма · с НДС 22%1 802,30 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 802,30 ₽
от 31 590,38 ₽
от 101 429,09 ₽
от 301 333,44 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTT8P50
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-500 V
Drain current-8 A
Power dissipation180 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge130nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time400ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO268; 400ns

Документация

Документ производителя