Антава

IXYS

Транзистор IXTT88N30P

IXTT88N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300 V
Drain current
88 A
Power dissipation
600 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 29 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 972,58 ₽

Сумма · с НДС 22%2 972,58 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 972,58 ₽
от 52 541,23 ₽
от 102 291,80 ₽
от 302 179,27 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTT88N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300 V
Drain current88 A
Power dissipation600 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268

Документация

Документ производителя