Антава

IXYS

Транзистор IXTT75N10L2

IXTT75N10L2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Linear L2™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
75 A
Power dissipation
400 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%2 807,96 ₽

Сумма · с НДС 22%2 807,96 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 12 807,96 ₽
от 32 491,05 ₽
от 102 249,05 ₽
от 302 231,77 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTT75N10L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияLinear L2™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current75 A
Power dissipation400 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance21 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge215nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time180ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 75A; 400W; TO268

Документация

Документ производителя