Антава

IXYS

Транзистор IXTT6N150

IXTT6N150
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.5 kV
Drain current
6 A
Power dissipation
540 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT6N150
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.5 kV
Drain current6 A
Power dissipation540 W
КорпусTO268
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge67nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 6A; 540W; TO268; 1.5us

Документация

Документ производителя