Антава

IXYS

Транзистор IXTT6N120

IXTT6N120
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
6 A
Power dissipation
300 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTT6N120
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current6 A
Power dissipation300 W
КорпусTO268
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge56nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time850ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 6A; 300W; TO268; 850ns

Документация

Документ производителя