Антава

IXYS

Транзистор IXTT60N20L2

IXTT60N20L2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
60A
Power dissipation
540W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT60N20L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current60A
Power dissipation540W
КорпусTO268
On-state resistance45mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge255nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time330ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 540W; TO268; 330ns

Документация

Документ производителя