Антава

IXYS

Транзистор IXTT52N30P

IXTT52N30P
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
300V
Drain current
52A
Power dissipation
400W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT52N30P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage300V
Drain current52A
Power dissipation400W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20V
On-state resistance73mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO268

Документация

Документ производителя