Антава

IXYS

Транзистор IXTT50P10

IXTT50P10
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-50 A
Power dissipation
300 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT50P10
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-50 A
Power dissipation300 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.14µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time180ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns

Документация

Документ производителя