Антава

IXYS

Транзистор IXTT440N055T2

IXTT440N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
440 A
Power dissipation
1 kW
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT440N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current440 A
Power dissipation1 kW
КорпусTO268
On-state resistance1.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge405nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time76ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 440A; 1000W; TO268; 76ns

Документация

Документ производителя