Антава

IXYS

Транзистор IXTT40N50L2

IXTT40N50L2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
40 A
Power dissipation
540 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTT40N50L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current40 A
Power dissipation540 W
КорпусTO268
On-state resistance0.17 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.32µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor deviceslinear power mosfet
Reverse recovery time0.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO268; 500ns

Документация

Документ производителя