Антава

IXYS

Транзистор IXTT38N30L2HV

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
300 V
Drain current
38 A
Power dissipation
400 W
Корпус
D3PAK, TO268
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTT38N30L2HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage300 V
Drain current38 A
Power dissipation400 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage20 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge260nC
Reverse recovery time420ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 300V; 38A; 400W; D3PAK,TO268; 420ns

Документация

Документы пока не предоставлены.