Антава

IXYS

Транзистор IXTT360N055T2

IXTT360N055T2
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
55 V
Drain current
360 A
Power dissipation
935 W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT360N055T2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage55 V
Drain current360 A
Power dissipation935 W
КорпусTO268
On-state resistance2.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge330nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesthrench gate power mosfet
Reverse recovery time78ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns

Документация

Документ производителя