Антава

IXYS

Транзистор IXTT30N60L2

IXTT30N60L2
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Linear L2™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
30 A
Power dissipation
540 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT30N60L2
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияLinear L2™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current30 A
Power dissipation540 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.24 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge335nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time710ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO268

Документация

Документ производителя