Антава

IXYS

Транзистор IXTT24P20

IXTT24P20
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200V
Drain current
-24A
Power dissipation
300W
Корпус
TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT24P20
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200V
Drain current-24A
Power dissipation300W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.15Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time250ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -24A; 300W; TO268; 250ns

Документация

Документ производителя