Антава

IXYS

Транзистор IXTT20P50P

IXTT20P50P
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-500 V
Drain current
-20 A
Power dissipation
460 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT20P50P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-500 V
Drain current-20 A
Power dissipation460 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge103nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time406ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO268

Документация

Документ производителя