Антава

IXYS

Транзистор IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
3 kV
Drain current
1 A
Power dissipation
195 W
Корпус
TO268HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTT1N300P3HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage3 kV
Drain current1 A
Power dissipation195 W
КорпусTO268HV
On-state resistance50 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesstandard power mosfet
Reverse recovery time1.8µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 1A; 195W; TO268HV; 1.8us

Документация

Документ производителя