Антава

IXYS

Транзистор IXTT1N250HV-TRL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
2.5 kV
Drain current
1.5 A
Power dissipation
250 W
Корпус
D3PAK, TO268
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTT1N250HV-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage2.5 kV
Drain current1.5 A
Power dissipation250 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage20 V
On-state resistance40 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge41nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time2.5µs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 2.5kV; 1.5A; 250W; D3PAK,TO268; 2.5us

Документация

Документы пока не предоставлены.