Антава

IXYS

Транзистор IXTT170N10P-TR

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
HiPerFET™
Drain-source voltage
100 V
Drain current
170 A
Power dissipation
715 W
Корпус
D3PAK, TO268
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTT170N10P-TR
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияHiPerFET™
Drain-source voltage100 V
Drain current170 A
Power dissipation715 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge198nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 170A; 715W; D3PAK,TO268; 120ns

Документация

Документы пока не предоставлены.