Антава

IXYS

Транзистор IXTT170N10P

IXTT170N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Polar™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
170 A
Power dissipation
715 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT170N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolar™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current170 A
Power dissipation715 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge198nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO268

Документация

Документ производителя