Антава

IXYS

Транзистор IXTT16P60P

IXTT16P60P
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
PolarP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-600 V
Drain current
-16 A
Power dissipation
460 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 97 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%3 660,49 ₽

Сумма · с НДС 22%3 660,49 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 13 660,49 ₽
от 102 545,00 ₽
от 302 333,08 ₽
от 602 221,34 ₽
от 1202 121,16 ₽
от 1502 090,33 ₽
от 3002 005,56 ₽
от 5101 941,99 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXTT16P60P
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияPolarP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-600 V
Drain current-16 A
Power dissipation460 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance720 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge92nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time440ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268

Документация

Документ производителя