Антава

IXYS

Транзистор IXTT140P10T

IXTT140P10T
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
TrenchP™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-140A
Power dissipation
568W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT140P10T
ПроизводительIXYS
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrenchP™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-140A
Power dissipation568W
КорпусTO268
Gate-source voltage±15V
On-state resistance10mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge400nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time130ns
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; TO268

Документация

Документ производителя