Антава

IXYS

Транзистор IXTT140N10P-TRL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
140 A
Рассеиваемая мощность
600 W
Корпус
D3PAK, TO268
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTT140N10P-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current140 A
Рассеиваемая мощность600 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage20 V
On-state resistance11 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge155nC
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time120ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 140A; 600W; D3PAK,TO268; 120ns

Документация

Документы пока не предоставлены.