Антава

IXYS

Транзистор IXTT110N10P

IXTT110N10P
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
PolarHT™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
110 A
Power dissipation
480 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXTT110N10P
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPolarHT™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current110 A
Power dissipation480 W
КорпусTO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Reverse recovery time130ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 110A; 480W; TO268

Документация

Документ производителя