Антава

IXYS

Транзистор IXTT110N10L2-TRL

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
100 V
Drain current
110 A
Power dissipation
600 W
Корпус
D3PAK, TO268
Gate-source voltage
20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXTT110N10L2-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage100 V
Drain current110 A
Power dissipation600 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge260nC
Reverse recovery time230ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 110A; 600W; D3PAK,TO268; 230ns

Документация

Документы пока не предоставлены.